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晶振負(fù)性阻抗的檢測(cè)-鴻星晶振原廠技術(shù)資料

本資料來源于臺(tái)灣鴻星官方網(wǎng)站技術(shù)詞典相關(guān)內(nèi)容。主要講解了晶振負(fù)性阻抗的測(cè)量的必要性、測(cè)量方法、所需測(cè)量設(shè)備等內(nèi)容。

1、為什么要測(cè)量晶振的負(fù)性阻抗

測(cè)量負(fù)性阻抗目的是避免振蕩器無法起振,振蕩器無法起振的原因是負(fù)性阻抗寬裕度不夠?qū)е拢瑸楸苊獯爽F(xiàn)象發(fā)生于設(shè)計(jì)時(shí)負(fù)性阻抗一般至少是 ESR的三倍以上,反之若太小時(shí)則會(huì)發(fā)生偶爾不起振的現(xiàn)象發(fā)生.(如需進(jìn)一步了解可以登錄鴻星晶振代理商-南京鼎魁科技官方網(wǎng)站www.yanzi168.cn咨詢。)

石英晶體共振子的兩端往振蕩電路看過去,排除共振子以外的所有阻抗特性質(zhì)總和,振蕩電路上必須提供足夠大的增益來補(bǔ)償共振子共振時(shí)的機(jī)械能損耗,也就是放大器為一個(gè)能量源,若負(fù)性阻抗的能量源大于振蕩電路的損耗時(shí),能源回路為平衡狀態(tài)此回路為穩(wěn)定振蕩,負(fù)性阻抗不是產(chǎn)品規(guī)格參數(shù),但卻是振蕩線路設(shè)計(jì)時(shí)很重要的性能指針.
 
正確的選取Cg/Cd的值將有利于振蕩電路的工作穩(wěn)定,并能使振蕩頻率能滿足使用的頻率要求。
其選取的步驟如下:
 
首先應(yīng)該按照-R的需求選擇Cg/Cd,在滿足TS的情況下應(yīng)盡量選取電容小一些,以保持較高的–R確保電路振蕩的穩(wěn)定性。
 
當(dāng)無法滿足-R要求時(shí)應(yīng)考慮對(duì)IC的特性重新評(píng)估、選擇。  
 
 ※ -R的計(jì)算公式:-R = gm/ {ω2 *(Cg*Cd)}     gm為互導(dǎo),單位:S(西門子)
 ※ 早期測(cè)試-R的儀器有HP-4195A等,但現(xiàn)階段皆改為crystal搭配VR實(shí)測(cè)法.
 ※ -R的要求(標(biāo)準(zhǔn)): 
    -R≧ 3~10 Max ESR. ,若-R低于3倍時(shí)會(huì)因石英諧振器與電路的匹配
    不良而容易出現(xiàn)不起振或振蕩不穩(wěn)定、振蕩啟動(dòng)時(shí)間延長(zhǎng)等問題。

2、測(cè)量分析步驟

a)  實(shí)際量測(cè)電路板上頻率波型與公差.|(Crystal on board test to verify tolerance and waveform)
b) 量測(cè)振蕩電路負(fù)性值 –R . 
   (Measure the Negative Resistance(-R) of the oscillation circuit)
c) 調(diào)整C1 C2電容以得到更大的頻率變化寬裕度.
   (Modify the C1,C2 to obtain bigger allowance)
d) 根據(jù)以上電路板量測(cè)數(shù)據(jù)建議適當(dāng)振蕩子規(guī)格.
   (Suggest the crystal specification based on above test)

3.分析過程中使用到之設(shè)備

量測(cè)負(fù)性阻抗 輸出端串接一個(gè)可變電阻,可變調(diào)至*小,上電源讓電路正常動(dòng)作,調(diào)整可變,將之調(diào)大,直至振蕩器不起振,確定不起振后,再將可變轉(zhuǎn)小,觀測(cè)波形,持續(xù)將可變電阻調(diào)小到振蕩器開始振蕩波形正常后,關(guān)閉電源,再打開電源,若振蕩器依舊可以起振,這時(shí)候可變上的阻抗值再加上2儀器所測(cè)得振蕩器單體的電阻值即為負(fù)性阻抗值.

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